IGBT 简介1.IGBT的基本结构绝缘栅双*晶体管（IGBT）本质上是*个场效应晶体管，只是在漏*和漏区之间多了*个 P 型层。根据*际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。图1所示为*个 N 沟道增强型绝缘栅双*晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电*称为源*。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电*称为栅*。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P*区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另*侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区*起形成 PNP 双*晶体管，起发射*的作用，向漏*注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电*称为漏*。为了兼顾长期以来人们的习惯， IEC 规定：源*引出的电*端子（含电*端）称为发射*端（子），漏*引出的电*端（子）称为集电*端（子）。这又回到双*晶体管的术语了。但仅此而已。 IGBT的结构剖面图如图2所示。它在结构上类似于MOSFET ，其不同点在于IGBT 是在N沟道功率MOSFET 的N+基板（漏*）上增加了*个P+ 基板（IGBT 的集电*），形成 PN 结j1 ，并由此引出漏*、栅*和源*则*与 MOSFET 相似。
图1 N沟道IGBT结构 图2 IGBT的结构剖面图由图2可以看出，IGBT相当于*个由MOSFET驱动的厚基区GTR ，其简化等效电路如图3所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。N沟道IGBT的图形符号有两种，如图4所示。实际应用时，常使用图2－5所示的符号。对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图4所示。
图3图4图5IGBT 的开通和关断是由栅*电压来控制的。当栅*加正电压时，MOSFET 内形成沟道，并为PNP晶体管提供基*电流，从而使IGBT导通，此时，从P+区注到N*区进行电导调制，减少N*区的电阻 Rdr值，使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅*上加负电压时，MOSFET 内的沟道消失，PNP晶体管的基*电流被切断，IGBT 即关断。正是由于 IGBT 是在N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加*层 P+ 基板，形成了四层结构，由PNP－NPN晶体管构成 IGBT 。但是，NPN晶体管和发射*由于铝电*短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说， IGBT 的基本工作与NPN晶体管*关，可以认为是将 N 沟道 MOSFET 作为输入*，PNP晶体管作为输出*的单向达林顿管。采取这样的结构可在 N*层作电导率调制，提高电流密度。这是因 为从 P+ 基板经过 N+ 层向高电阻的 N*层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过 PNP－NPN 晶体管的连接形成晶闸管。2.IGBT模块的术语及其特性术语说明术语
符号
定义及说明（测定条件参改说明书）
集电*、发射*间电压
VCES栅*、发射*间短路时的集电*，发射*间的*大电压栅*发*间电压
VGES集电*、发射*间短路时的栅*，发射*间*大电压集电*电流
IC集电*所允许的*大直流电流耗散功率
PC单个IGBT所允许的*大耗散功率结温
Tj元件连续工作时芯片温厦关断电流
ICES栅*、发射*间短路，在集电*、发射*间加上指定的电压时的集电*电流。漏电流
IGES集电*、发射*间短路，在栅*、集电*间加上指定的电压时的栅*漏电流饱和压降
V CE(sat)在指定的集电*电流和栅*电压的情况下，集电*、发射*间的电压。输入电容
Clss集电*、发射*间处于交流短路状态，在栅*、发射*间及集电*、发射*间加上指定电压时，栅*、发射*间的电容 三.IGBT模块使用上的注意事项1. IGBT模块的选定在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。a. 电流规格IGBT模块的集电*电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150oC以下（通常为安全起见，以125oC以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。
*般来说，要将集电*电流的*大值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。 b.电压规格IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。其相互关系列于表1。根据使用目的，并参考本表，请选择相应的元件。 元器件电压规格600V1200V1400V
电源电压
200V；220V；230V；240V346V；350V；380V；400V；415V；440V575V
2. 防止静电IGBT的VGE的耐压值为±20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅*-发射*之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。在使用装置的场合，如果栅*回路不合适或者栅*回路*不能工作时（珊*处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅**发射*之间接*只10kΩ左左的电阻为宜。 此外，由于IGBT模块为MOS结构，对于静电就要十分注意。因此，请注意下面几点：1) 在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。2) 在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。3) 尽量在底板良好接地的情况下操作。4) 当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸。5) 在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。6) 装部件的容器，请选用不带静电的容器。3.并联问题用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时，可以使用多个器件并联。并联时，要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果*旦电流平衡达到破坏，那么电过于集中的那个器件将可能被损坏。
为使并联时电流能平衡，适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的VCE(sat)相同的并联是很重要的。4.其他注意事项1) 保存半导体原件的场所的温度，温度，应保持在常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5－35℃，常湿的规定为45―75％左右。2) 开、关时的浪涌电压等的测定，请在端子处测定。