*终采用的是硅管倍频方案，即用Si三极管作为振荡器件，首先振荡在X波段，然后通过倍频放大将基波倍频至Ku波段，再通过滤波器取出工作频率。
这种方案的优势在于振荡器起振容易，而且在X波段用Si三极管作为振荡器件比常规FET的相位噪声要好十几个分贝，去除倍频的相位噪声损失（6dB），用倍频的方式在Ku波段相位噪声要比直接起振小10dB左右。另一个优点是选用Si三极管作为振荡器件，基波的相位噪声余量加大，调试时可适当加大介质谐振器的耦合度，这样不仅能够减小调试难度，而且可解决高低温下易停振的问题，这一点对批量生产非常有利。
采用计算机辅助设计，可优化得出介质振荡器在基波振荡时的输入反射系数和输出阻抗，如、所示。
用硅管倍频方案也同样带来不利的一面，为滤除基波信号要在组件中增加相应的高通滤波器，这无疑会加大体积，对排版带来一定的难度；倍频器要求输入信号有一定的电平，要求在振荡器和倍频器之间要加一定增益的放大器，这肯定会增加整机的功耗和体积。
对上述不利的因素，采取下列措施：采用腔体高通滤波器，体积只有15@6@6mm3，对基波信号的抑制有80dB，带内插损只有0.3dB，能很好满足使用要求。
选用HITTITE公司的HMC516单片放大器，其增益高（20dB），输出动态大（P-1=17dBm），体积小（2@1@0.2mm3），作为倍频器的推动级较为合适。
研制后，对本振支路的测试如下：相位噪声<-94dBc/Hz/10kHz基波信号抑制70dB输出功率18dBm从本振支路的研制过程看，调试较为简单，高低温试验结果理想，成品率高，有利于今后的批量生产，达到了预期设计的目标。
基波振荡的输入反射系数基波振荡的输入阻抗4上变频器的设计上变频器的作用是将SAW-VCO产生的60MHz信号与本振信号f0变频到f0-60MHz.由组件的电路功能框图结合指标要求可看出，该上变频器的重点是要提高其对本振信号的抑制，这样可以减轻后面滤波器的压力，变频损耗可以由放大器来弥补。
微波上变频器的电路形式繁多，仍可分为单端的和平衡的两大类。这两类微波混频器都是由功率混合路、阻抗匹配电路、混频二极管和中频输出电路等几部分组成。在样品的初样阶段，采用了常规的混合环平衡式上变频器，其变频损耗为8dB，而本振抑制只有20dB左右。该形式的上变频器*大的缺点是由于混合环的存在而造成体积较大。所以，组件*终采用了单片集成上变频器，型号为HMC205，由美国HITTITE公司生产。该芯片的变频损耗为9dB，而本振抑制却有28dB，芯片的体积只有0.5@0.5@0.1mm3，其缺点是对本振电平要求较高。无疑，采用单片集成上变频器可以大大减小组件的体积和加大本振抑制，而本振50雷达与对抗电平的大小可以通过放大器放大给出。
滤波器设计组件主振端口杂波抑制要在60dBc以上，由于中频频率只有60MHz，而本振工作频率为Ku波段，这就对滤波器提出了非常高的要求。采用特殊结构实现高Q滤波器，在结构和装配上都是本课题的一个难点。
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常规微带形式的滤波器因其介质损耗大、Q值低而无法实现窄带滤波器。
介质滤波器的Q值较高，在样机阶段，研制出三腔介质滤波器，但是其带外抑制只有25dB，联试主振支路的杂波抑制偏小。而且在滤波器的调试过程中，介质的位置、介质之间的耦合度都特别敏感，调试非常困难，成品率不高。
经多次比较，组件*终采用的是单腔双膜式滤波器。该滤波器采用特殊的金属材料，带宽只有10MHz左右，带外抑制可达55dB，带内插入损耗为7dB，中心频率的高低温变化只有2MHz，而且该滤波器的调试难度相对介质滤波器来说不大，完全满足使用要求。
使用单腔双膜式滤波器带来的困难是如何与主振部分的对接。经多次试验，不断优化整体结构的设计，*终将该滤波器与主振部分很好地相结合，主振部分的杂波抑制典型值为70dB，超过了合同的要求。
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